1. കുറിച്ച്സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC) എപിറ്റാക്സിയൽ വേഫറുകൾ
സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ വേഫർ ഒരു അടിവസ്ത്രമായി ഉപയോഗിച്ച് ഒരു വേഫറിൽ ഒരൊറ്റ ക്രിസ്റ്റൽ പാളി നിക്ഷേപിച്ചാണ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC) എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫറുകൾ രൂപപ്പെടുന്നത്, സാധാരണയായി കെമിക്കൽ നീരാവി നിക്ഷേപം (CVD). അവയിൽ, ചാലകമായ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് അടിവസ്ത്രത്തിൽ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളി വളർത്തി, ഉയർന്ന പ്രവർത്തനക്ഷമതയുള്ള ഉപകരണങ്ങളായി നിർമ്മിച്ചതാണ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ.
2.സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപിറ്റാക്സിയൽ വേഫർസ്പെസിഫിക്കേഷനുകൾ
ഞങ്ങൾക്ക് 4, 6, 8 ഇഞ്ച് N-ടൈപ്പ് 4H-SiC എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫറുകൾ നൽകാൻ കഴിയും. എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫറിന് വലിയ ബാൻഡ്‌വിഡ്ത്ത്, ഉയർന്ന സാച്ചുറേഷൻ ഇലക്‌ട്രോൺ ഡ്രിഫ്റ്റ് സ്പീഡ്, ഹൈ സ്പീഡ് ദ്വിമാന ഇലക്‌ട്രോൺ വാതകം, ഉയർന്ന ബ്രേക്ക്‌ഡൗൺ ഫീൽഡ് സ്‌ട്രെങ്ത് എന്നിവയുണ്ട്. ഈ ഗുണങ്ങൾ ഉപകരണത്തെ ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധം, ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് പ്രതിരോധം, ഫാസ്റ്റ് സ്വിച്ചിംഗ് സ്പീഡ്, കുറഞ്ഞ ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസ്, ചെറിയ വലിപ്പം, ഭാരം കുറവാണ്.
3. SiC എപിറ്റാക്സിയൽ ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ
SiC എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫർപ്രധാനമായും Schottky ഡയോഡ് (SBD), മെറ്റൽ ഓക്സൈഡ് സെമികണ്ടക്ടർ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ (MOSFET) ജംഗ്ഷൻ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്റർ (JFET), ബൈപോളാർ ജംഗ്ഷൻ ട്രാൻസിസ്റ്റർ (BJT), തൈറിസ്റ്റർ (SCR), ഇൻസുലേറ്റഡ് ഗേറ്റ് ബൈപോളാർ ട്രാൻസിസ്റ്റർ (ഐജിബിടി) എന്നിവയിൽ ഉപയോഗിക്കുന്നു. കുറഞ്ഞ വോൾട്ടേജ്, ഇടത്തരം വോൾട്ടേജ്, ഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ഫീൽഡുകളിൽ. നിലവിൽ,SiC എപ്പിറ്റാക്സിയൽ വേഫറുകൾഉയർന്ന വോൾട്ടേജ് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ ലോകമെമ്പാടും ഗവേഷണ വികസന ഘട്ടത്തിലാണ്.
