സെമിസെറ ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള അർദ്ധചാലകത്തെ അവതരിപ്പിക്കുന്നുസിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കാൻ്റിലിവർ പാഡിലുകൾ, ആധുനിക അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണത്തിൻ്റെ കർശനമായ ആവശ്യങ്ങൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിരിക്കുന്നത്.
ദിസിലിക്കൺ കാർബൈഡ് പാഡിൽതാപ വികാസവും വേർപിരിയലും കുറയ്ക്കുന്ന ഒരു നൂതനമായ ഡിസൈൻ ഫീച്ചർ ചെയ്യുന്നു, അത് അങ്ങേയറ്റത്തെ സാഹചര്യങ്ങളിൽ ഇത് വളരെ വിശ്വസനീയമാക്കുന്നു. ഇതിൻ്റെ കരുത്തുറ്റ നിർമ്മാണം മെച്ചപ്പെട്ട ഈട് പ്രദാനം ചെയ്യുന്നു, പൊട്ടൽ അല്ലെങ്കിൽ തേയ്മാനം ഉണ്ടാകാനുള്ള സാധ്യത കുറയ്ക്കുന്നു, ഇത് ഉയർന്ന വിളവും സ്ഥിരമായ ഉൽപ്പാദന നിലവാരവും നിലനിർത്തുന്നതിൽ നിർണായകമാണ്. ദിവേഫർ ബോട്ട്ഡിസൈൻ സാധാരണ അർദ്ധചാലക പ്രോസസ്സിംഗ് ഉപകരണങ്ങളുമായി തടസ്സമില്ലാതെ സംയോജിപ്പിച്ച്, അനുയോജ്യതയും ഉപയോഗ എളുപ്പവും ഉറപ്പാക്കുന്നു.
സെമിസെറയുടെ ശ്രദ്ധേയമായ സവിശേഷതകളിൽ ഒന്ന്SiC പാഡിൽഅതിൻ്റെ രാസ പ്രതിരോധമാണ്, ഇത് നശിപ്പിക്കുന്ന വാതകങ്ങൾക്കും രാസവസ്തുക്കൾക്കും തുറന്നിരിക്കുന്ന പരിതസ്ഥിതികളിൽ മികച്ച പ്രകടനം നടത്താൻ അനുവദിക്കുന്നു. ഇഷ്‌ടാനുസൃതമാക്കലിലുള്ള സെമിസെറയുടെ ഫോക്കസ് അനുയോജ്യമായ പരിഹാരങ്ങൾ അനുവദിക്കുന്നു.
| റീക്രിസ്റ്റലൈസ്ഡ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡിൻ്റെ ഭൗതിക സവിശേഷതകൾ | |
| സ്വത്ത് | സാധാരണ മൂല്യം |
| പ്രവർത്തന താപനില (°C) | 1600°C (ഓക്‌സിജൻ ഉള്ളത്), 1700°C (പരിസ്ഥിതി കുറയ്ക്കുന്നു) |
| SiC ഉള്ളടക്കം | > 99.96% |
| സൗജന്യ Si ഉള്ളടക്കം | < 0.1% |
| ബൾക്ക് സാന്ദ്രത | 2.60-2.70 ഗ്രാം / സെ.മീ3 |
| പ്രകടമായ പൊറോസിറ്റി | < 16% |
| കംപ്രഷൻ ശക്തി | > 600 MPa |
| തണുത്ത വളയുന്ന ശക്തി | 80-90 MPa (20°C) |
| ചൂടുള്ള വളയുന്ന ശക്തി | 90-100 MPa (1400°C) |
| താപ വികാസം @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| താപ ചാലകത @1200°C | 23 W/m•K |
| ഇലാസ്റ്റിക് മോഡുലസ് | 240 GPa |
| തെർമൽ ഷോക്ക് പ്രതിരോധം | വളരെ നല്ലത് |
