സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ് തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള രീതി

നിലവിൽ, തയ്യാറാക്കൽ രീതികൾSiC കോട്ടിംഗ്പ്രധാനമായും ജെൽ-സോൾ രീതി, എംബെഡിംഗ് രീതി, ബ്രഷ് കോട്ടിംഗ് രീതി, പ്ലാസ്മ സ്പ്രേ ചെയ്യുന്ന രീതി, കെമിക്കൽ ഗ്യാസ് റിയാക്ഷൻ രീതി (CVR), കെമിക്കൽ നീരാവി നിക്ഷേപ രീതി (CVD) എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു.

ഉൾച്ചേർക്കൽ രീതി:

ഒരുതരം ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള സോളിഡ് ഫേസ് സിൻ്ററിംഗ് ആണ് ഈ രീതി, ഇത് പ്രധാനമായും എംബഡിംഗ് പൗഡറായി Si പൗഡറിൻ്റെയും C പൊടിയുടെയും മിശ്രിതം ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഗ്രാഫൈറ്റ് മാട്രിക്സ് എംബെഡിംഗ് പൗഡറിൽ സ്ഥാപിക്കുന്നു, കൂടാതെ ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള സിൻ്ററിംഗ് നിഷ്ക്രിയ വാതകത്തിലാണ് നടത്തുന്നത്. , ഒടുവിൽ ദിSiC കോട്ടിംഗ്ഗ്രാഫൈറ്റ് മാട്രിക്സിൻ്റെ ഉപരിതലത്തിൽ ലഭിക്കുന്നു. പ്രക്രിയ ലളിതമാണ്, കോട്ടിംഗും അടിവസ്ത്രവും തമ്മിലുള്ള സംയോജനം നല്ലതാണ്, എന്നാൽ കനം ദിശയിലുള്ള പൂശിൻ്റെ ഏകത മോശമാണ്, ഇത് കൂടുതൽ ദ്വാരങ്ങൾ ഉത്പാദിപ്പിക്കാനും മോശം ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധത്തിലേക്ക് നയിക്കാനും എളുപ്പമാണ്.

 

ബ്രഷ് പൂശുന്ന രീതി:

ഗ്രാഫൈറ്റ് മാട്രിക്സിൻ്റെ ഉപരിതലത്തിൽ ദ്രാവക അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ ബ്രഷ് ചെയ്യുക, തുടർന്ന് ഒരു നിശ്ചിത താപനിലയിൽ അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ സൌഖ്യമാക്കുകയും കോട്ടിംഗ് തയ്യാറാക്കുകയും ചെയ്യുക എന്നതാണ് ബ്രഷ് കോട്ടിംഗ് രീതി. പ്രക്രിയ ലളിതവും ചെലവ് കുറവുമാണ്, എന്നാൽ ബ്രഷ് കോട്ടിംഗ് രീതി ഉപയോഗിച്ച് തയ്യാറാക്കിയ കോട്ടിംഗ് അടിവസ്ത്രവുമായി സംയോജിപ്പിച്ച് ദുർബലമാണ്, കോട്ടിംഗ് ഏകീകൃതത മോശമാണ്, കോട്ടിംഗ് കനം കുറഞ്ഞതും ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം കുറവുമാണ്, സഹായിക്കാൻ മറ്റ് രീതികൾ ആവശ്യമാണ്. അത്.

 

പ്ലാസ്മ സ്പ്രേ ചെയ്യുന്ന രീതി:

പ്രധാനമായും ഉരുകിയതോ അർദ്ധ ഉരുകിയതോ ആയ അസംസ്കൃത വസ്തുക്കൾ ഒരു പ്ലാസ്മ തോക്ക് ഉപയോഗിച്ച് ഗ്രാഫൈറ്റ് മാട്രിക്സിൻ്റെ ഉപരിതലത്തിൽ തളിക്കുക, തുടർന്ന് ദൃഢമാക്കി ബന്ധിപ്പിച്ച് ഒരു കോട്ടിംഗ് ഉണ്ടാക്കുക എന്നതാണ് പ്ലാസ്മ സ്പ്രേ ചെയ്യുന്ന രീതി. ഈ രീതി പ്രവർത്തിക്കാൻ ലളിതമാണ്, താരതമ്യേന സാന്ദ്രമായ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ് തയ്യാറാക്കാൻ കഴിയും, എന്നാൽ ഈ രീതി ഉപയോഗിച്ച് തയ്യാറാക്കിയ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ് പലപ്പോഴും വളരെ ദുർബലവും ദുർബലമായ ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധത്തിലേക്ക് നയിക്കുന്നതുമാണ്, അതിനാൽ ഇത് മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനായി SiC കോമ്പോസിറ്റ് കോട്ടിംഗ് തയ്യാറാക്കാൻ സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. പൂശിൻ്റെ ഗുണനിലവാരം.

 

ജെൽ-സോൾ രീതി:

ജെൽ-സോൾ രീതി പ്രധാനമായും മാട്രിക്സിൻ്റെ ഉപരിതലത്തെ മൂടി ഒരു ഏകീകൃതവും സുതാര്യവുമായ സോൾ ലായനി തയ്യാറാക്കുക, ഒരു ജെല്ലിലേക്ക് ഉണക്കുക, തുടർന്ന് ഒരു കോട്ടിംഗ് ലഭിക്കുന്നതിന് സിൻ്ററിംഗ് ചെയ്യുക. ഈ രീതി പ്രവർത്തിക്കാൻ ലളിതവും ചെലവ് കുറഞ്ഞതുമാണ്, എന്നാൽ ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്ന കോട്ടിംഗിന് കുറഞ്ഞ താപ ഷോക്ക് പ്രതിരോധം, എളുപ്പത്തിൽ പൊട്ടൽ തുടങ്ങിയ ചില പോരായ്മകളുണ്ട്, അതിനാൽ ഇത് വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയില്ല.

 

കെമിക്കൽ ഗ്യാസ് റിയാക്ഷൻ (CVR):

CVR പ്രധാനമായും സൃഷ്ടിക്കുന്നുSiC കോട്ടിംഗ്ഉയർന്ന ഊഷ്മാവിൽ SiO നീരാവി ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കുന്നതിന് Si, SiO2 പൊടികൾ ഉപയോഗിക്കുന്നതിലൂടെ, C മെറ്റീരിയൽ അടിവസ്ത്രത്തിൻ്റെ ഉപരിതലത്തിൽ രാസപ്രവർത്തനങ്ങളുടെ ഒരു പരമ്പര സംഭവിക്കുന്നു. ദിSiC കോട്ടിംഗ്ഈ രീതി ഉപയോഗിച്ച് തയ്യാറാക്കിയത് അടിവസ്ത്രവുമായി അടുത്ത് ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു, പക്ഷേ പ്രതികരണ താപനില കൂടുതലാണ്, ചെലവ് കൂടുതലാണ്.

 

കെമിക്കൽ നീരാവി നിക്ഷേപം (CVD):

നിലവിൽ, സിവിഡി തയ്യാറാക്കുന്നതിനുള്ള പ്രധാന സാങ്കേതികവിദ്യയാണ്SiC കോട്ടിംഗ്അടിവസ്ത്ര ഉപരിതലത്തിൽ. സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് ഉപരിതലത്തിലെ ഗ്യാസ് ഫേസ് റിയാക്ടൻ്റ് മെറ്റീരിയലിൻ്റെ ഭൗതികവും രാസപരവുമായ പ്രതിപ്രവർത്തനങ്ങളുടെ ഒരു പരമ്പരയാണ് പ്രധാന പ്രക്രിയ, ഒടുവിൽ SiC കോട്ടിംഗ് തയ്യാറാക്കുന്നത് അടിവസ്ത്ര ഉപരിതലത്തിൽ നിക്ഷേപിച്ചാണ്. CVD സാങ്കേതികവിദ്യ തയ്യാറാക്കിയ SiC കോട്ടിംഗ് അടിവസ്ത്രത്തിൻ്റെ ഉപരിതലവുമായി അടുത്ത് ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു, ഇത് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് മെറ്റീരിയലിൻ്റെ ഓക്‌സിഡേഷൻ പ്രതിരോധവും അബ്ലേറ്റീവ് പ്രതിരോധവും ഫലപ്രദമായി മെച്ചപ്പെടുത്തും, എന്നാൽ ഈ രീതിയുടെ നിക്ഷേപ സമയം കൂടുതലാണ്, കൂടാതെ പ്രതിപ്രവർത്തന വാതകത്തിന് ഒരു പ്രത്യേക വിഷാംശമുണ്ട്. വാതകം.