-
അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണ പ്രക്രിയ - Etch ടെക്നോളജി
ഒരു വേഫറിനെ അർദ്ധചാലകമാക്കി മാറ്റാൻ നൂറുകണക്കിന് പ്രക്രിയകൾ ആവശ്യമാണ്. ഏറ്റവും പ്രധാനപ്പെട്ട പ്രക്രിയകളിലൊന്ന് എച്ചിംഗ് ആണ് - അതായത്, വേഫറിൽ മികച്ച സർക്യൂട്ട് പാറ്റേണുകൾ കൊത്തിയെടുക്കുക. എച്ചിംഗ് പ്രക്രിയയുടെ വിജയം ഒരു സെറ്റ് ഡിസ്ട്രിബ്യൂഷൻ പരിധിക്കുള്ളിൽ വിവിധ വേരിയബിളുകൾ കൈകാര്യം ചെയ്യുന്നതിനെ ആശ്രയിച്ചിരിക്കുന്നു, കൂടാതെ ഓരോ എച്ചിംഗും...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
പ്ലാസ്മ എച്ചിംഗ് ഉപകരണങ്ങളിൽ ഫോക്കസ് റിംഗുകൾക്ക് അനുയോജ്യമായ മെറ്റീരിയൽ: സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC)
പ്ലാസ്മ എച്ചിംഗ് ഉപകരണങ്ങളിൽ, ഫോക്കസ് റിംഗ് ഉൾപ്പെടെ സെറാമിക് ഘടകങ്ങൾ നിർണായക പങ്ക് വഹിക്കുന്നു. വേഫറിന് ചുറ്റും സ്ഥാപിച്ചിരിക്കുന്ന ഫോക്കസ് റിംഗ്, വളയത്തിലേക്ക് വോൾട്ടേജ് പ്രയോഗിച്ച് പ്ലാസ്മയെ വേഫറിലേക്ക് ഫോക്കസ് ചെയ്യുന്നതിന് അത്യന്താപേക്ഷിതമാണ്. ഇത് യുഎൻ വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നു...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
ഫ്രണ്ട് എൻഡ് ഓഫ് ലൈൻ (FEOL): അടിത്തറയിടൽ
പ്രൊഡക്ഷൻ ലൈനിൻ്റെ മുൻഭാഗം അടിത്തറയിടുന്നതും വീടിൻ്റെ മതിലുകൾ പണിയുന്നതും പോലെയാണ്. അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണത്തിൽ, ഈ ഘട്ടത്തിൽ ഒരു സിലിക്കൺ വേഫറിൽ അടിസ്ഥാന ഘടനകളും ട്രാൻസിസ്റ്ററുകളും സൃഷ്ടിക്കുന്നത് ഉൾപ്പെടുന്നു. FEOL-ൻ്റെ പ്രധാന ഘട്ടങ്ങൾ: ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
വേഫർ ഉപരിതല ഗുണനിലവാരത്തിൽ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ പ്രോസസ്സിംഗിൻ്റെ പ്രഭാവം
പവർ ഇലക്ട്രോണിക് സിസ്റ്റങ്ങളിൽ അർദ്ധചാലക പവർ ഉപകരണങ്ങൾ ഒരു പ്രധാന സ്ഥാനം വഹിക്കുന്നു, പ്രത്യേകിച്ച് ആർട്ടിഫിഷ്യൽ ഇൻ്റലിജൻസ്, 5 ജി കമ്മ്യൂണിക്കേഷൻസ്, പുതിയ എനർജി വാഹനങ്ങൾ തുടങ്ങിയ സാങ്കേതികവിദ്യകളുടെ ദ്രുതഗതിയിലുള്ള വികസനത്തിൻ്റെ പശ്ചാത്തലത്തിൽ, അവയ്ക്കുള്ള പ്രകടന ആവശ്യകതകൾ ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
SiC വളർച്ചയ്ക്കുള്ള പ്രധാന വസ്തു: ടാൻ്റലം കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ്
നിലവിൽ, മൂന്നാം തലമുറ അർദ്ധചാലകങ്ങൾ സിലിക്കൺ കാർബൈഡാണ്. അതിൻ്റെ ഉപകരണങ്ങളുടെ ചെലവ് ഘടനയിൽ, സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് 47% ഉം എപ്പിറ്റാക്‌സി അക്കൗണ്ടുകൾ 23% ഉം ആണ്. ഇവ രണ്ടും ചേർന്ന് ഏകദേശം 70% വരും, ഇത് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് ഉപകരണ മാനുഫയുടെ ഏറ്റവും പ്രധാനപ്പെട്ട ഭാഗമാണ്...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
ടാൻ്റലം കാർബൈഡ് പൂശിയ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ വസ്തുക്കളുടെ നാശ പ്രതിരോധം എങ്ങനെ വർദ്ധിപ്പിക്കും?
ടാൻ്റലം കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ് സാധാരണയായി ഉപയോഗിക്കുന്ന ഉപരിതല സംസ്കരണ സാങ്കേതികവിദ്യയാണ്, അത് മെറ്റീരിയലുകളുടെ നാശ പ്രതിരോധം ഗണ്യമായി മെച്ചപ്പെടുത്തും. രാസ നീരാവി നിക്ഷേപം, ഫിസിക്ക... എന്നിങ്ങനെ വ്യത്യസ്ത തയ്യാറെടുപ്പ് രീതികളിലൂടെ ടാൻ്റലം കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ് അടിവസ്ത്രത്തിൻ്റെ ഉപരിതലത്തിൽ ഘടിപ്പിക്കാം.കൂടുതൽ വായിക്കുക -
ഇന്നലെ, സയൻസ് ആൻഡ് ടെക്നോളജി ഇന്നൊവേഷൻ ബോർഡ്, Huazhuo Precision Technology അതിൻ്റെ IPO അവസാനിപ്പിച്ചതായി ഒരു അറിയിപ്പ് പുറപ്പെടുവിച്ചു!
ചൈനയിലെ ആദ്യത്തെ 8 ഇഞ്ച് SIC ലേസർ അനീലിംഗ് ഉപകരണത്തിൻ്റെ ഡെലിവറി പ്രഖ്യാപിച്ചു, ഇത് സിൻഹുവയുടെ സാങ്കേതികവിദ്യ കൂടിയാണ്; എന്തുകൊണ്ടാണ് അവർ തന്നെ മെറ്റീരിയലുകൾ പിൻവലിച്ചത്? കുറച്ച് വാക്കുകൾ: ആദ്യം, ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ വളരെ വൈവിധ്യപൂർണ്ണമാണ്! ഒറ്റനോട്ടത്തിൽ, അവർ എന്താണ് ചെയ്യുന്നതെന്ന് എനിക്കറിയില്ല. നിലവിൽ എച്ച്...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
CVD സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ്-2
സിവിഡി സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ് 1. എന്തിനാണ് ഒരു സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ് ഉള്ളത് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പ്രക്രിയയിലൂടെ വേഫറിൻ്റെ അടിസ്ഥാനത്തിൽ വളരുന്ന ഒരു പ്രത്യേക ക്രിസ്റ്റൽ നേർത്ത ഫിലിമാണ് എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളി. സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് വേഫറിനെയും എപ്പിടാക്‌സിയൽ നേർത്ത ഫിലിമിനെയും മൊത്തത്തിൽ എപ്പിടാക്‌സിയൽ വേഫറുകൾ എന്ന് വിളിക്കുന്നു. അവയിൽ,...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
എസ്ഐസി കോട്ടിംഗിൻ്റെ തയ്യാറെടുപ്പ് പ്രക്രിയ
നിലവിൽ, SiC കോട്ടിംഗിൻ്റെ തയ്യാറെടുപ്പ് രീതികളിൽ പ്രധാനമായും ജെൽ-സോൾ രീതി, എംബെഡിംഗ് രീതി, ബ്രഷ് കോട്ടിംഗ് രീതി, പ്ലാസ്മ സ്പ്രേ ചെയ്യുന്ന രീതി, കെമിക്കൽ നീരാവി പ്രതികരണ രീതി (CVR), കെമിക്കൽ നീരാവി നിക്ഷേപ രീതി (CVD) എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്നു. എംബഡിംഗ് രീതി ഈ രീതി ഒരുതരം ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള സോളിഡ്-ഫേസ് ആണ് ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
CVD സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് കോട്ടിംഗ്-1
എന്താണ് CVD SiC കെമിക്കൽ നീരാവി നിക്ഷേപം (CVD) ഉയർന്ന ശുദ്ധിയുള്ള ഖര പദാർത്ഥങ്ങൾ നിർമ്മിക്കാൻ ഉപയോഗിക്കുന്ന ഒരു വാക്വം ഡിപ്പോസിഷൻ പ്രക്രിയയാണ്. ഈ പ്രക്രിയ പലപ്പോഴും അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണ ഫീൽഡിൽ വേഫറുകളുടെ ഉപരിതലത്തിൽ നേർത്ത ഫിലിമുകൾ രൂപപ്പെടുത്തുന്നതിന് ഉപയോഗിക്കുന്നു. സിവിഡി മുഖേന SiC തയ്യാറാക്കുന്ന പ്രക്രിയയിൽ, അടിവസ്ത്രം കാലഹരണപ്പെടുന്നു...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
എക്സ്-റേ ടോപ്പോളജിക്കൽ ഇമേജിംഗിൻ്റെ സഹായത്തോടെ റേ ട്രെയ്സിംഗ് സിമുലേഷൻ വഴി SiC ക്രിസ്റ്റലിലെ ഡിസ്ലോക്കേഷൻ ഘടനയുടെ വിശകലനം
ഗവേഷണ പശ്ചാത്തലം സിലിക്കൺ കാർബൈഡിൻ്റെ (SiC): വിശാലമായ ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് അർദ്ധചാലക മെറ്റീരിയൽ എന്ന നിലയിൽ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് അതിൻ്റെ മികച്ച വൈദ്യുത ഗുണങ്ങൾ (വലിയ ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ്, ഉയർന്ന ഇലക്ട്രോൺ സാച്ചുറേഷൻ വേഗത, താപ ചാലകത എന്നിവ) കാരണം വളരെയധികം ശ്രദ്ധ ആകർഷിച്ചു. ഈ പ്രോപ്...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
SiC സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ വളർച്ചയിൽ വിത്ത് പരൽ തയ്യാറാക്കൽ പ്രക്രിയ 3
വളർച്ചാ പരിശോധന സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC) വിത്ത് പരലുകൾ രൂപരേഖയിലുള്ള പ്രക്രിയയ്ക്ക് ശേഷം തയ്യാറാക്കുകയും SiC ക്രിസ്റ്റൽ വളർച്ചയിലൂടെ സാധൂകരിക്കുകയും ചെയ്തു. 2200℃ വളർച്ചാ ഊഷ്മാവ്, 200 Pa വളർച്ചാ മർദ്ദം, ഒരു ഗ്രോട്ട്...കൂടുതൽ വായിക്കുക