യുടെ പ്രധാന ഘടകങ്ങളിലൊന്നായിMOCVD ഉപകരണങ്ങൾ, ഗ്രാഫൈറ്റ് ബേസ് എന്നത് അടിവസ്ത്രത്തിൻ്റെ കാരിയർ, ചൂടാക്കൽ ബോഡിയാണ്, ഇത് ഫിലിം മെറ്റീരിയലിൻ്റെ ഏകീകൃതതയും പരിശുദ്ധിയും നേരിട്ട് നിർണ്ണയിക്കുന്നു, അതിനാൽ അതിൻ്റെ ഗുണനിലവാരം എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ഷീറ്റ് തയ്യാറാക്കുന്നതിനെ നേരിട്ട് ബാധിക്കുന്നു, അതേ സമയം, എണ്ണത്തിൻ്റെ വർദ്ധനവോടെ ഉപയോഗങ്ങളും ജോലി സാഹചര്യങ്ങളുടെ മാറ്റവും, ഉപഭോഗവസ്തുക്കളിൽ ഉൾപ്പെടുന്ന, ധരിക്കാൻ വളരെ എളുപ്പമാണ്.
ഗ്രാഫൈറ്റിന് മികച്ച താപ ചാലകതയും സ്ഥിരതയും ഉണ്ടെങ്കിലും, അടിസ്ഥാന ഘടകമെന്ന നിലയിൽ ഇതിന് നല്ല ഗുണമുണ്ട്MOCVD ഉപകരണങ്ങൾ, എന്നാൽ ഉൽപ്പാദന പ്രക്രിയയിൽ, വിനാശകരമായ വാതകങ്ങളുടെയും മെറ്റാലിക് ഓർഗാനിക്സിൻ്റെയും അവശിഷ്ടങ്ങൾ കാരണം ഗ്രാഫൈറ്റ് പൊടിയെ നശിപ്പിക്കും, കൂടാതെ ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിത്തറയുടെ സേവനജീവിതം വളരെ കുറയുകയും ചെയ്യും. അതേസമയം, ഗ്രാഫൈറ്റ് പൊടി വീഴുന്നത് ചിപ്പിന് മലിനീകരണം ഉണ്ടാക്കും.
കോട്ടിംഗ് സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ ആവിർഭാവത്തിന് ഉപരിതല പൊടി ഫിക്സേഷൻ നൽകാനും താപ ചാലകത വർദ്ധിപ്പിക്കാനും താപ വിതരണം തുല്യമാക്കാനും കഴിയും, ഇത് ഈ പ്രശ്നം പരിഹരിക്കുന്നതിനുള്ള പ്രധാന സാങ്കേതികവിദ്യയായി മാറി. ഗ്രാഫൈറ്റ് ബേസ് ഇൻMOCVD ഉപകരണങ്ങൾപരിസ്ഥിതി ഉപയോഗിക്കുക, ഗ്രാഫൈറ്റ് ബേസ് ഉപരിതല കോട്ടിംഗ് ഇനിപ്പറയുന്ന സവിശേഷതകൾ പാലിക്കണം:
(1) ഗ്രാഫൈറ്റ് ബേസ് പൂർണ്ണമായി പൊതിയാൻ കഴിയും, സാന്ദ്രത നല്ലതാണ്, അല്ലാത്തപക്ഷം ഗ്രാഫൈറ്റ് ബേസ് നശിപ്പിക്കുന്ന വാതകത്തിൽ എളുപ്പത്തിൽ നശിപ്പിക്കപ്പെടും.
(2) ഉയർന്ന ഊഷ്മാവിനും താഴ്ന്ന ഊഷ്മാവിനുമുള്ള നിരവധി ചക്രങ്ങൾക്ക് ശേഷം കോട്ടിംഗ് വീഴുന്നത് എളുപ്പമല്ലെന്ന് ഉറപ്പാക്കാൻ ഗ്രാഫൈറ്റ് ബേസുമായുള്ള സംയോജന ശക്തി ഉയർന്നതാണ്.
(3) ഉയർന്ന താപനിലയിലും വിനാശകരമായ അന്തരീക്ഷത്തിലും കോട്ടിംഗ് പരാജയം ഒഴിവാക്കാൻ ഇതിന് നല്ല രാസ സ്ഥിരതയുണ്ട്.
നാശന പ്രതിരോധം, ഉയർന്ന താപ ചാലകത, തെർമൽ ഷോക്ക് പ്രതിരോധം, ഉയർന്ന കെമിക്കൽ സ്ഥിരത എന്നിവയുടെ ഗുണങ്ങൾ SiC ന് ഉണ്ട്, കൂടാതെ GaN എപ്പിറ്റാക്സിയൽ അന്തരീക്ഷത്തിൽ നന്നായി പ്രവർത്തിക്കാനും കഴിയും. കൂടാതെ, SiC യുടെ താപ വിപുലീകരണ ഗുണകം ഗ്രാഫൈറ്റിൽ നിന്ന് വളരെ കുറച്ച് വ്യത്യാസപ്പെട്ടിരിക്കുന്നു, അതിനാൽ ഗ്രാഫൈറ്റ് അടിത്തറയുടെ ഉപരിതല കോട്ടിംഗിന് മുൻഗണന നൽകുന്ന വസ്തുവാണ് SiC.
നിലവിൽ, സാധാരണ SiC പ്രധാനമായും 3C, 4H, 6H തരങ്ങളാണ്, കൂടാതെ വ്യത്യസ്ത ക്രിസ്റ്റൽ തരങ്ങളുടെ SiC ഉപയോഗങ്ങൾ വ്യത്യസ്തമാണ്. ഉദാഹരണത്തിന്, 4H-SiC ന് ഉയർന്ന പവർ ഉപകരണങ്ങൾ നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയും; 6H-SiC ഏറ്റവും സ്ഥിരതയുള്ളതും ഫോട്ടോ ഇലക്ട്രിക് ഉപകരണങ്ങൾ നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയുന്നതുമാണ്; GaN-ന് സമാനമായ ഘടന കാരണം, 3C-SiC, GaN എപിടാക്സിയൽ ലെയർ നിർമ്മിക്കുന്നതിനും SiC-GaN RF ഉപകരണങ്ങൾ നിർമ്മിക്കുന്നതിനും ഉപയോഗിക്കാം. 3C-SiC എന്നും അറിയപ്പെടുന്നുβ-SiC, ഒരു പ്രധാന ഉപയോഗംβ-SiC ഒരു ഫിലിം, കോട്ടിംഗ് മെറ്റീരിയലാണ്, അതിനാൽβ-SiC ആണ് നിലവിൽ പൂശുന്നതിനുള്ള പ്രധാന മെറ്റീരിയൽ.
പോസ്റ്റ് സമയം: നവംബർ-06-2023