-
എന്താണ് ടാൻ്റലം കാർബൈഡ്?
ടാൻ്റലം കാർബൈഡ് (TaC) TaC x എന്ന കെമിക്കൽ ഫോർമുലയുള്ള ടാൻ്റലത്തിൻ്റെയും കാർബണിൻ്റെയും ബൈനറി സംയുക്തമാണ്, ഇവിടെ x സാധാരണയായി 0.4 നും 1 നും ഇടയിൽ വ്യത്യാസപ്പെടുന്നു. അവ ലോഹ ചാലകതയുള്ള വളരെ കഠിനവും പൊട്ടുന്നതും റിഫ്രാക്റ്ററി സെറാമിക് വസ്തുക്കളുമാണ്. അവ തവിട്ട്-ചാരനിറത്തിലുള്ള പൊടികളാണ്, നമ്മൾ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
എന്താണ് ടാൻ്റലം കാർബൈഡ്
ടാൻ്റലം കാർബൈഡ് (TaC) ഉയർന്ന താപനില പ്രതിരോധം, ഉയർന്ന സാന്ദ്രത, ഉയർന്ന ഒതുക്കമുള്ള ഒരു അൾട്രാ-ഉയർന്ന താപനില സെറാമിക് മെറ്റീരിയൽ ആണ്; ഉയർന്ന പരിശുദ്ധി, അശുദ്ധമായ ഉള്ളടക്കം <5PPM; കൂടാതെ ഉയർന്ന ഊഷ്മാവിൽ അമോണിയ, ഹൈഡ്രജൻ എന്നിവയിലേക്കുള്ള രാസ നിഷ്ക്രിയത്വവും നല്ല താപ സ്ഥിരതയും. അൾട്രാ-ഹൈ എന്ന് വിളിക്കപ്പെടുന്ന ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
എന്താണ് epitaxy?
അർദ്ധചാലക ഉപകരണ നിർമ്മാണത്തിൽ ഒരു പ്രധാന പങ്ക് വഹിക്കുന്ന എപ്പിറ്റാക്സിയെക്കുറിച്ച് മിക്ക എഞ്ചിനീയർമാർക്കും പരിചിതമല്ല. വ്യത്യസ്ത ചിപ്പ് ഉൽപ്പന്നങ്ങളിൽ Epitaxy ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയും, കൂടാതെ വിവിധ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾക്ക് Si epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy, മുതലായവ ഉൾപ്പെടെ വിവിധ തരത്തിലുള്ള epitaxy ഉണ്ട്. എന്താണ് epitaxy?Epitaxy ആണ്...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
SiC യുടെ പ്രധാന പാരാമീറ്ററുകൾ എന്തൊക്കെയാണ്?
സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC) ഹൈ-പവർ, ഹൈ-ഫ്രീക്വൻസി ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങളിൽ വ്യാപകമായി ഉപയോഗിക്കുന്ന ഒരു പ്രധാന വൈഡ് ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് അർദ്ധചാലക വസ്തുവാണ്. സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് വേഫറുകളുടെ ചില പ്രധാന പാരാമീറ്ററുകളും അവയുടെ വിശദമായ വിശദീകരണങ്ങളും ഇനിപ്പറയുന്നവയാണ്: ലാറ്റിസ് പാരാമീറ്ററുകൾ: ഉറപ്പാക്കുക ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
എന്തുകൊണ്ടാണ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ സിലിക്കൺ ഉരുട്ടേണ്ടത്?
ഒരു സിലിക്കൺ സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ വടിയുടെ പുറം വ്യാസം ഒരു ഡയമണ്ട് ഗ്രൈൻഡിംഗ് വീൽ ഉപയോഗിച്ച് ആവശ്യമായ വ്യാസമുള്ള ഒരൊറ്റ ക്രിസ്റ്റൽ വടിയിലേക്ക് പൊടിക്കുകയും സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ വടിയുടെ പരന്ന എഡ്ജ് റഫറൻസ് ഉപരിതലം അല്ലെങ്കിൽ പൊസിഷനിംഗ് ഗ്രോവ് പൊടിക്കുകയും ചെയ്യുന്ന പ്രക്രിയയെ റോളിംഗ് സൂചിപ്പിക്കുന്നു. പുറം വ്യാസമുള്ള ഉപരിതലം...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള SiC പൊടികൾ നിർമ്മിക്കുന്നതിനുള്ള പ്രക്രിയകൾ
അസാധാരണമായ ഗുണങ്ങൾക്ക് പേരുകേട്ട ഒരു അജൈവ സംയുക്തമാണ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC). മോയിസാനൈറ്റ് എന്നറിയപ്പെടുന്ന പ്രകൃതിദത്തമായ SiC വളരെ വിരളമാണ്. വ്യാവസായിക ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ, സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് പ്രധാനമായും സിന്തറ്റിക് രീതികളിലൂടെയാണ് നിർമ്മിക്കുന്നത്. സെമിസെറ സെമികണ്ടക്ടറിൽ, ഞങ്ങൾ നൂതന സാങ്കേതിക വിദ്യകൾ പ്രയോജനപ്പെടുത്തുന്നു...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
ക്രിസ്റ്റൽ വലിക്കുമ്പോൾ റേഡിയൽ റെസിസ്റ്റിവിറ്റി യൂണിഫോം നിയന്ത്രണം
സോളിഡ്-ലിക്വിഡ് ഇൻ്റർഫേസിൻ്റെ പരന്നതും ക്രിസ്റ്റൽ വളർച്ചയ്ക്കിടയിലുള്ള ചെറിയ തലം പ്രഭാവവുമാണ് ഒറ്റ പരലുകളുടെ റേഡിയൽ റെസിസ്റ്റിവിറ്റിയുടെ ഏകീകൃതതയെ ബാധിക്കുന്ന പ്രധാന കാരണങ്ങൾ. ,...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
എന്തുകൊണ്ടാണ് കാന്തിക മണ്ഡലം സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ ഫർണസിന് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റലിൻ്റെ ഗുണനിലവാരം മെച്ചപ്പെടുത്താൻ കഴിയുന്നത്
ക്രൂസിബിൾ കണ്ടെയ്‌നറായി ഉപയോഗിക്കുന്നതിനാൽ ഉള്ളിൽ സംവഹനം ഉള്ളതിനാൽ, ജനറേറ്റഡ് സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റലിൻ്റെ വലുപ്പം വർദ്ധിക്കുന്നതിനാൽ, താപ സംവഹനവും താപനില ഗ്രേഡിയൻ്റ് ഏകീകൃതതയും നിയന്ത്രിക്കാൻ കൂടുതൽ ബുദ്ധിമുട്ടാണ്. ലോറൻ്റ്സ് ശക്തിയിൽ ചാലക ഉരുകൽ പ്രവർത്തിക്കാൻ കാന്തികക്ഷേത്രം ചേർക്കുന്നതിലൂടെ, സംവഹനം...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
സബ്ലിമേഷൻ രീതി ഉപയോഗിച്ച് സിവിഡി-എസ്ഐസി ബൾക്ക് സോഴ്സ് ഉപയോഗിച്ച് SiC സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റലുകളുടെ ദ്രുത വളർച്ച
സിവിഡി-എസ്ഐസി ബൾക്ക് സോഴ്സ് ഉപയോഗിച്ച് സിവിഡി-എസ്ഐസി ബൾക്ക് സോഴ്സ് ഉപയോഗിച്ച് സബ്ലിമേഷൻ രീതിയിലൂടെ SiC സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റലിൻ്റെ ദ്രുത വളർച്ച SiC ഉറവിടമായി റീസൈക്കിൾ ചെയ്ത CVD-SiC ബ്ലോക്കുകൾ ഉപയോഗിച്ച്, പിവിടി രീതിയിലൂടെ SiC പരലുകൾ 1.46 mm/h എന്ന തോതിൽ വിജയകരമായി വളർത്തി. വളർന്നുവന്ന ക്രിസ്റ്റലിൻ്റെ മൈക്രോപൈപ്പും സ്ഥാനഭ്രംശ സാന്ദ്രതയും സൂചിപ്പിക്കുന്നത്...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് എപിറ്റാക്സിയൽ ഗ്രോത്ത് എക്യുപ്‌മെൻ്റിൽ ഒപ്റ്റിമൈസ് ചെയ്തതും വിവർത്തനം ചെയ്തതുമായ ഉള്ളടക്കം
സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC) സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾക്ക് നേരിട്ടുള്ള പ്രോസസ്സിംഗ് തടയുന്ന നിരവധി വൈകല്യങ്ങളുണ്ട്. ചിപ്പ് വേഫറുകൾ സൃഷ്ടിക്കുന്നതിന്, ഒരു എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പ്രക്രിയയിലൂടെ SiC സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റിൽ ഒരു പ്രത്യേക സിംഗിൾ-ക്രിസ്റ്റൽ ഫിലിം വളർത്തിയിരിക്കണം. എപ്പിറ്റാക്സിയൽ ലെയർ എന്നാണ് ഈ ഫിലിം അറിയപ്പെടുന്നത്. മിക്കവാറും എല്ലാ SiC ഉപകരണങ്ങളും എപ്പിറ്റാക്സിയലിലാണ്...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണത്തിൽ SiC-കോട്ടഡ് ഗ്രാഫൈറ്റ് സസെപ്റ്ററുകളുടെ നിർണായക പങ്കും അപേക്ഷാ കേസുകളും
ആഗോളതലത്തിൽ അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണ ഉപകരണങ്ങൾക്കായുള്ള പ്രധാന ഘടകങ്ങളുടെ ഉത്പാദനം വർദ്ധിപ്പിക്കാൻ സെമിസെറ സെമികണ്ടക്ടർ പദ്ധതിയിടുന്നു. 2027-ഓടെ, 70 ദശലക്ഷം യുഎസ് ഡോളറിൻ്റെ മൊത്തം നിക്ഷേപത്തിൽ 20,000 ചതുരശ്ര മീറ്റർ വിസ്തീർണ്ണമുള്ള ഒരു പുതിയ ഫാക്ടറി സ്ഥാപിക്കാൻ ഞങ്ങൾ ലക്ഷ്യമിടുന്നു. ഞങ്ങളുടെ പ്രധാന ഘടകങ്ങളിലൊന്നായ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC) വേഫർ കാർ...കൂടുതൽ വായിക്കുക -
എന്തുകൊണ്ടാണ് നമ്മൾ സിലിക്കൺ വേഫർ സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകളിൽ എപ്പിടാക്‌സി ചെയ്യേണ്ടത്?
അർദ്ധചാലക വ്യവസായ ശൃംഖലയിൽ, പ്രത്യേകിച്ച് മൂന്നാം തലമുറ അർദ്ധചാലക (വൈഡ് ബാൻഡ്‌ഗാപ്പ് അർദ്ധചാലക) വ്യവസായ ശൃംഖലയിൽ, അടിവസ്ത്രങ്ങളും എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളികളും ഉണ്ട്. എപ്പിറ്റാക്സിയൽ പാളിയുടെ പ്രാധാന്യം എന്താണ്? അടിവസ്ത്രവും അടിവസ്ത്രവും തമ്മിലുള്ള വ്യത്യാസം എന്താണ്? ഉപവിഭാഗം...കൂടുതൽ വായിക്കുക