വിവരണം
ഞങ്ങളുടെ കമ്പനി ഗ്രാഫൈറ്റ്, സെറാമിക്സ്, മറ്റ് വസ്തുക്കൾ എന്നിവയുടെ ഉപരിതലത്തിൽ സിവിഡി രീതി ഉപയോഗിച്ച് SiC കോട്ടിംഗ് പ്രോസസ്സ് സേവനങ്ങൾ നൽകുന്നു, അതിനാൽ കാർബണും സിലിക്കണും അടങ്ങിയ പ്രത്യേക വാതകങ്ങൾ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ പ്രതിപ്രവർത്തിച്ച് ഉയർന്ന പരിശുദ്ധിയുള്ള SiC തന്മാത്രകൾ, പൂശിയ വസ്തുക്കളുടെ ഉപരിതലത്തിൽ നിക്ഷേപിച്ച തന്മാത്രകൾ, SIC സംരക്ഷണ പാളി രൂപീകരിക്കുന്നു.
പ്രധാന സവിശേഷതകൾ
1 .ഉയർന്ന ശുദ്ധിയുള്ള SiC പൂശിയ ഗ്രാഫൈറ്റ്
2. ഉയർന്ന ചൂട് പ്രതിരോധം & താപ ഏകത
3. മിനുസമാർന്ന പ്രതലത്തിനായി പൂശിയ ഫൈൻ SiC ക്രിസ്റ്റൽ
4. കെമിക്കൽ ക്ലീനിംഗിനെതിരെ ഉയർന്ന ഈട്
CVD-SIC കോട്ടിംഗിൻ്റെ പ്രധാന സവിശേഷതകൾ
SiC-CVD പ്രോപ്പർട്ടികൾ | ||
ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന | FCC β ഘട്ടം | |
സാന്ദ്രത | g/cm ³ | 3.21 |
കാഠിന്യം | വിക്കേഴ്സ് കാഠിന്യം | 2500 |
ധാന്യത്തിൻ്റെ വലിപ്പം | μm | 2~10 |
കെമിക്കൽ പ്യൂരിറ്റി | % | 99.99995 |
താപ ശേഷി | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
സബ്ലിമേഷൻ താപനില | ℃ | 2700 |
Felexural ശക്തി | MPa (RT 4-പോയിൻ്റ്) | 415 |
യങ്ങിൻ്റെ മോഡുലസ് | Gpa (4pt ബെൻഡ്, 1300℃) | 430 |
തെർമൽ എക്സ്പാൻഷൻ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
താപ ചാലകത | (W/mK) | 300 |