സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റുകൾ|SiC വേഫറുകൾ

ഹ്രസ്വ വിവരണം:

സെമിസെറ എനർജി ടെക്നോളജി കമ്പനി, ലിമിറ്റഡ്, വേഫർ, അഡ്വാൻസ്ഡ് അർദ്ധചാലക ഉപഭോഗവസ്തുക്കൾ എന്നിവയിൽ സ്പെഷ്യലൈസ് ചെയ്ത ഒരു പ്രമുഖ വിതരണക്കാരനാണ്. അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണം, ഫോട്ടോവോൾട്ടേയിക് വ്യവസായം, മറ്റ് അനുബന്ധ മേഖലകൾ എന്നിവയ്ക്ക് ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ളതും വിശ്വസനീയവും നൂതനവുമായ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ നൽകുന്നതിന് ഞങ്ങൾ പ്രതിജ്ഞാബദ്ധരാണ്.

ഞങ്ങളുടെ ഉൽപ്പന്ന നിരയിൽ സിലിക്കൺ കാർബൈഡ്, സിലിക്കൺ നൈട്രൈഡ്, അലുമിനിയം ഓക്സൈഡ് തുടങ്ങിയ വിവിധ വസ്തുക്കളെ ഉൾക്കൊള്ളുന്ന SiC/TaC പൂശിയ ഗ്രാഫൈറ്റ് ഉൽപ്പന്നങ്ങളും സെറാമിക് ഉൽപ്പന്നങ്ങളും ഉൾപ്പെടുന്നു.

നിലവിൽ, പരിശുദ്ധി 99.9999% SiC കോട്ടിംഗും 99.9% റീക്രിസ്റ്റലൈസ്ഡ് സിലിക്കൺ കാർബൈഡും നൽകുന്ന ഒരേയൊരു നിർമ്മാതാവ് ഞങ്ങളാണ്. പരമാവധി SiC കോട്ടിംഗ് ദൈർഘ്യം നമുക്ക് 2640mm ചെയ്യാൻ കഴിയും.

 

ഉൽപ്പന്ന വിശദാംശങ്ങൾ

ഉൽപ്പന്ന ടാഗുകൾ

SiC-വേഫർ

സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് (SiC) സിംഗിൾ ക്രിസ്റ്റൽ മെറ്റീരിയലിന് വലിയ ബാൻഡ് വിടവ് വീതി (~Si 3 മടങ്ങ്), ഉയർന്ന താപ ചാലകത (~Si 3.3 മടങ്ങ് അല്ലെങ്കിൽ GaAs 10 മടങ്ങ്), ഉയർന്ന ഇലക്ട്രോൺ സാച്ചുറേഷൻ മൈഗ്രേഷൻ നിരക്ക് (~Si 2.5 മടങ്ങ്), ഉയർന്ന തകർച്ച ഇലക്ട്രിക് ഫീൽഡും (~Si 10 തവണ അല്ലെങ്കിൽ GaAs 5 തവണ) മറ്റ് മികച്ച സവിശേഷതകളും.

ഉയർന്ന താപനില, ഉയർന്ന മർദ്ദം, ഉയർന്ന ആവൃത്തി, ഉയർന്ന പവർ ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾ, എയ്‌റോസ്‌പേസ്, മിലിട്ടറി, ന്യൂക്ലിയർ എനർജി മുതലായ അങ്ങേയറ്റത്തെ പാരിസ്ഥിതിക ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ എന്നിവയിൽ SiC ഉപകരണങ്ങൾക്ക് മാറ്റാനാകാത്ത നേട്ടങ്ങളുണ്ട്. ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ, ക്രമേണ പവർ അർദ്ധചാലകങ്ങളുടെ മുഖ്യധാരയായി മാറുന്നു.

4H-SiC സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് സവിശേഷതകൾ

ഇനം 项目

സവിശേഷതകൾ 参数

പോളിടൈപ്പ്
晶型

4H -SiC

6H- SiC

വ്യാസം
晶圆直径

2 ഇഞ്ച് | 3 ഇഞ്ച് | 4 ഇഞ്ച് | 6 ഇഞ്ച്

2 ഇഞ്ച് | 3 ഇഞ്ച് | 4 ഇഞ്ച് | 6 ഇഞ്ച്

കനം
厚度

330 μm ~ 350 μm

330 μm ~ 350 μm

ചാലകത
导电类型

N - തരം / സെമി-ഇൻസുലേറ്റിംഗ്
N型导电片/ 半绝缘片

N - തരം / സെമി-ഇൻസുലേറ്റിംഗ്
N型导电片/ 半绝缘片

ഡോപൻ്റ്
掺杂剂

N2 (നൈട്രജൻ)V (വനേഡിയം)

N2 (നൈട്രജൻ) വി (വനേഡിയം)

ഓറിയൻ്റേഷൻ
晶向

അക്ഷത്തിൽ <0001>
ഓഫ് ആക്സിസ് <0001> ഓഫ് 4°

അക്ഷത്തിൽ <0001>
ഓഫ് ആക്സിസ് <0001> ഓഫ് 4°

പ്രതിരോധശേഷി
电阻率

0.015 ~ 0.03 ഓം-സെ.മീ
(4H-N)

0.02 ~ 0.1 ohm-cm
(6H-N)

മൈക്രോപൈപ്പ് സാന്ദ്രത (MPD)
微管密度

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

≤10/cm2 ~ ≤1/cm2

ടി.ടി.വി
总厚度变化

≤ 15 μm

≤ 15 μm

വില്ലു / വാർപ്പ്
翘曲度

≤25 μm

≤25 μm

ഉപരിതലം
表面处理

ഡിഎസ്പി/എസ്എസ്പി

ഡിഎസ്പി/എസ്എസ്പി

ഗ്രേഡ്
产品等级

ഉത്പാദനം / ഗവേഷണ ഗ്രേഡ്

ഉത്പാദനം / ഗവേഷണ ഗ്രേഡ്

ക്രിസ്റ്റൽ സ്റ്റാക്കിംഗ് സീക്വൻസ്
堆积方式

എബിസിബി

എബിസിഎബിസി

ലാറ്റിസ് പരാമീറ്റർ
晶格参数

a=3.076A, c=10.053A

a=3.073A, c=15.117A

ഉദാ/ഇവി(ബാൻഡ്-ഗാപ്പ്)
禁带宽度

3.27 ഇ.വി

3.02 ഇ.വി

ε(ഡൈലക്‌ട്രിക് കോൺസ്റ്റൻ്റ്)
介电常数

9.6

9.66

അപവർത്തന സൂചിക
折射率

n0 =2.719 ne =2.777

n0 =2.707 , ne =2.755

6H-SiC സിലിക്കൺ കാർബൈഡ് സബ്‌സ്‌ട്രേറ്റ് സവിശേഷതകൾ

ഇനം 项目

സവിശേഷതകൾ 参数

പോളിടൈപ്പ്
晶型

6H-SiC

വ്യാസം
晶圆直径

4 ഇഞ്ച് | 6 ഇഞ്ച്

കനം
厚度

350μm ~ 450μm

ചാലകത
导电类型

N - തരം / സെമി-ഇൻസുലേറ്റിംഗ്
N型导电片/ 半绝缘片

ഡോപൻ്റ്
掺杂剂

N2(നൈട്രജൻ)
വി (വനേഡിയം)

ഓറിയൻ്റേഷൻ
晶向

<0001> ഓഫ് 4°± 0.5°

പ്രതിരോധശേഷി
电阻率

0.02 ~ 0.1 ohm-cm
(6H-N തരം)

മൈക്രോപൈപ്പ് സാന്ദ്രത (MPD)
微管密度

≤ 10/cm2

ടി.ടി.വി
总厚度变化

≤ 15 μm

വില്ലു / വാർപ്പ്
翘曲度

≤25 μm

ഉപരിതലം
表面处理

Si മുഖം: CMP, എപ്പി-റെഡി
സി മുഖം: ഒപ്റ്റിക്കൽ പോളിഷ്

ഗ്രേഡ്
产品等级

ഗവേഷണ ഗ്രേഡ്

സെമിസെറ ജോലി സ്ഥലം സെമിസെറ ജോലി സ്ഥലം 2 ഉപകരണ യന്ത്രം CNN പ്രോസസ്സിംഗ്, കെമിക്കൽ ക്ലീനിംഗ്, CVD കോട്ടിംഗ് ഞങ്ങളുടെ സേവനം


  • മുമ്പത്തെ:
  • അടുത്തത്: