മൈക്രോപ്രൊസസ്സറുകൾ മുതൽ ഫോട്ടോവോൾട്ടെയ്ക് സെല്ലുകൾ വരെയുള്ള അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങളുടെ ഒരു വലിയ നിരയുടെ അടിത്തറയായി സേവിക്കുന്നതിനായി സെമിസെറ സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ വളരെ സൂക്ഷ്മമായി തയ്യാറാക്കിയിട്ടുണ്ട്. വിവിധ ഇലക്ട്രോണിക് ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ ഒപ്റ്റിമൽ പെർഫോമൻസ് ഉറപ്പാക്കുന്ന ഈ വേഫറുകൾ ഉയർന്ന കൃത്യതയോടും പരിശുദ്ധിയോടും കൂടി രൂപകൽപ്പന ചെയ്തവയാണ്.
നൂതന സാങ്കേതിക വിദ്യകൾ ഉപയോഗിച്ച് നിർമ്മിച്ച, സെമിസെറ സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ അസാധാരണമായ പരന്നതും ഏകതാനതയും പ്രകടിപ്പിക്കുന്നു, ഇത് അർദ്ധചാലക നിർമ്മാണത്തിൽ ഉയർന്ന വിളവ് നേടുന്നതിന് നിർണായകമാണ്. ഈ അളവിലുള്ള കൃത്യത, വൈകല്യങ്ങൾ കുറയ്ക്കുന്നതിനും ഇലക്ട്രോണിക് ഘടകങ്ങളുടെ മൊത്തത്തിലുള്ള കാര്യക്ഷമത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനും സഹായിക്കുന്നു.
സെമിസെറ സിലിക്കൺ വേഫറുകളുടെ ഉയർന്ന നിലവാരം അവയുടെ വൈദ്യുത സവിശേഷതകളിൽ പ്രകടമാണ്, ഇത് അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങളുടെ മെച്ചപ്പെടുത്തിയ പ്രകടനത്തിന് കാരണമാകുന്നു. കുറഞ്ഞ അശുദ്ധി നിലവാരവും ഉയർന്ന ക്രിസ്റ്റൽ ഗുണനിലവാരവും ഉള്ള ഈ വേഫറുകൾ ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള ഇലക്ട്രോണിക്സ് വികസിപ്പിക്കുന്നതിന് അനുയോജ്യമായ പ്ലാറ്റ്ഫോം നൽകുന്നു.
വിവിധ വലുപ്പങ്ങളിലും സ്പെസിഫിക്കേഷനുകളിലും ലഭ്യമാണ്, കമ്പ്യൂട്ടിംഗ്, ടെലികമ്മ്യൂണിക്കേഷൻ, പുനരുൽപ്പാദിപ്പിക്കാവുന്ന ഊർജ്ജം എന്നിവയുൾപ്പെടെ വിവിധ വ്യവസായങ്ങളുടെ പ്രത്യേക ആവശ്യങ്ങൾ നിറവേറ്റുന്നതിനായി സെമിസെറ സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ ക്രമീകരിക്കാവുന്നതാണ്. വലിയ തോതിലുള്ള നിർമ്മാണത്തിനായാലും പ്രത്യേക ഗവേഷണത്തിനായാലും, ഈ വേഫറുകൾ വിശ്വസനീയമായ ഫലങ്ങൾ നൽകുന്നു.
ഉയർന്ന വ്യവസായ നിലവാരം പുലർത്തുന്ന ഉയർന്ന നിലവാരമുള്ള സിലിക്കൺ വേഫറുകൾ നൽകിക്കൊണ്ട് അർദ്ധചാലക വ്യവസായത്തിൻ്റെ വളർച്ചയ്ക്കും നവീകരണത്തിനും പിന്തുണ നൽകാൻ സെമിസെറ പ്രതിജ്ഞാബദ്ധമാണ്. കൃത്യതയിലും വിശ്വാസ്യതയിലും ശ്രദ്ധ കേന്ദ്രീകരിച്ച്, സാങ്കേതികവിദ്യയുടെ അതിരുകൾ മറികടക്കാൻ സെമിസെറ നിർമ്മാതാക്കളെ പ്രാപ്തമാക്കുന്നു, അവരുടെ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ വിപണിയിൽ മുൻനിരയിൽ തുടരുന്നുവെന്ന് ഉറപ്പാക്കുന്നു.
ഇനങ്ങൾ | ഉത്പാദനം | ഗവേഷണം | ഡമ്മി |
ക്രിസ്റ്റൽ പാരാമീറ്ററുകൾ | |||
പോളിടൈപ്പ് | 4H | ||
ഉപരിതല ഓറിയൻ്റേഷൻ പിശക് | <11-20 >4±0.15° | ||
ഇലക്ട്രിക്കൽ പാരാമീറ്ററുകൾ | |||
ഡോപൻ്റ് | n-തരം നൈട്രജൻ | ||
പ്രതിരോധശേഷി | 0.015-0.025ohm·cm | ||
മെക്കാനിക്കൽ പാരാമീറ്ററുകൾ | |||
വ്യാസം | 150.0 ± 0.2 മിമി | ||
കനം | 350± 25 μm | ||
പ്രാഥമിക ഫ്ലാറ്റ് ഓറിയൻ്റേഷൻ | [1-100]±5° | ||
പ്രാഥമിക പരന്ന നീളം | 47.5 ± 1.5 മിമി | ||
സെക്കൻഡറി ഫ്ലാറ്റ് | ഒന്നുമില്ല | ||
ടി.ടി.വി | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
എൽ.ടി.വി | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
വില്ല് | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
വാർപ്പ് | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
ഫ്രണ്ട് (Si-മുഖം) പരുക്കൻത (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
ഘടന | |||
മൈക്രോപൈപ്പ് സാന്ദ്രത | <1 EA/cm2 | <10 EA/cm2 | <15 EA/cm2 |
ലോഹ മാലിന്യങ്ങൾ | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
ബിപിഡി | ≤1500 EA/cm2 | ≤3000 EA/cm2 | NA |
ടി.എസ്.ഡി | ≤500 EA/cm2 | ≤1000 EA/cm2 | NA |
ഫ്രണ്ട് ക്വാളിറ്റി | |||
ഫ്രണ്ട് | Si | ||
ഉപരിതല ഫിനിഷ് | സി-ഫേസ് സിഎംപി | ||
കണികകൾ | ≤60ea/വേഫർ (വലിപ്പം≥0.3μm) | NA | |
പോറലുകൾ | ≤5ea/mm. ക്യുമുലേറ്റീവ് നീളം ≤വ്യാസം | ക്യുമുലേറ്റീവ് നീളം≤2*വ്യാസം | NA |
ഓറഞ്ച് തൊലി / കുഴികൾ / പാടുകൾ / വരകൾ / വിള്ളലുകൾ / മലിനീകരണം | ഒന്നുമില്ല | NA | |
എഡ്ജ് ചിപ്സ്/ഇൻഡൻ്റുകൾ/ഫ്രാക്ചർ/ഹെക്സ് പ്ലേറ്റുകൾ | ഒന്നുമില്ല | ||
പോളിടൈപ്പ് ഏരിയകൾ | ഒന്നുമില്ല | ക്യുമുലേറ്റീവ് ഏരിയ≤20% | ക്യുമുലേറ്റീവ് ഏരിയ≤30% |
ഫ്രണ്ട് ലേസർ അടയാളപ്പെടുത്തൽ | ഒന്നുമില്ല | ||
ബാക്ക് ക്വാളിറ്റി | |||
ബാക്ക് ഫിനിഷ് | സി-ഫേസ് സിഎംപി | ||
പോറലുകൾ | ≤5ea/mm, ക്യുമുലേറ്റീവ് നീളം≤2*വ്യാസം | NA | |
പിന്നിലെ വൈകല്യങ്ങൾ (എഡ്ജ് ചിപ്പുകൾ/ഇൻഡൻ്റുകൾ) | ഒന്നുമില്ല | ||
പുറം പരുക്കൻ | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
ബാക്ക് ലേസർ അടയാളപ്പെടുത്തൽ | 1 മില്ലീമീറ്റർ (മുകളിൽ നിന്ന്) | ||
എഡ്ജ് | |||
എഡ്ജ് | ചാംഫർ | ||
പാക്കേജിംഗ് | |||
പാക്കേജിംഗ് | വാക്വം പാക്കേജിംഗിനൊപ്പം എപ്പി-റെഡി മൾട്ടി-വേഫർ കാസറ്റ് പാക്കേജിംഗ് | ||
*കുറിപ്പുകൾ: "NA" എന്നാൽ അഭ്യർത്ഥന ഇല്ല എന്നാണ് അർത്ഥമാക്കുന്നത് പരാമർശിക്കാത്ത ഇനങ്ങൾ SEMI-STD-യെ പരാമർശിച്ചേക്കാം. |