സെറാമിക് അർദ്ധചാലക ഗുണങ്ങൾ

ഫീച്ചറുകൾ:

അർദ്ധചാലക ഗുണങ്ങളുള്ള സെറാമിക്സിൻ്റെ പ്രതിരോധശേഷി ഏകദേശം 10-5~ 107ω.cm ആണ്, കൂടാതെ സെറാമിക് വസ്തുക്കളുടെ അർദ്ധചാലക ഗുണങ്ങൾ ഡോപ്പിംഗ് വഴിയോ സ്റ്റോയ്ചിയോമെട്രിക് വ്യതിയാനം മൂലമുണ്ടാകുന്ന ലാറ്റിസ് വൈകല്യങ്ങൾ വഴിയോ ലഭിക്കും.ഈ രീതി ഉപയോഗിക്കുന്ന സെറാമിക്സിൽ TiO2 ഉൾപ്പെടുന്നു,

ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3, SiC.യുടെ വ്യത്യസ്ത സ്വഭാവസവിശേഷതകൾഅർദ്ധചാലക സെറാമിക്സ്വിവിധ തരം സെറാമിക് സെൻസിറ്റീവ് ഉപകരണങ്ങൾ നിർമ്മിക്കാൻ ഉപയോഗിക്കാവുന്ന പരിസ്ഥിതിയുമായി അവയുടെ വൈദ്യുതചാലകത മാറുന്നു.

ഹീറ്റ് സെൻസിറ്റീവ്, ഗ്യാസ് സെൻസിറ്റീവ്, ഹ്യുമിഡിറ്റി സെൻസിറ്റീവ്, പ്രഷർ സെൻസിറ്റീവ്, ലൈറ്റ് സെൻസിറ്റീവ്, മറ്റ് സെൻസറുകൾ എന്നിവ.Fe3O4 പോലുള്ള അർദ്ധചാലക സ്പൈനൽ മെറ്റീരിയലുകൾ, MgAl2O4 പോലെയുള്ള നോൺ-കണ്ടക്ടർ സ്പൈനൽ മെറ്റീരിയലുകളുമായി നിയന്ത്രിത ഖര ലായനികളിൽ കലർത്തിയിരിക്കുന്നു.

MgCr2O4, Zr2TiO4 എന്നിവ തെർമിസ്റ്ററുകളായി ഉപയോഗിക്കാം, അവ താപനിലയിൽ വ്യത്യാസമുള്ള ശ്രദ്ധാപൂർവ്വം നിയന്ത്രിക്കുന്ന പ്രതിരോധ ഉപകരണങ്ങളാണ്.Bi, Mn, Co, Cr തുടങ്ങിയ ഓക്സൈഡുകൾ ചേർത്ത് ZnO പരിഷ്കരിക്കാനാകും.

ഈ ഓക്‌സൈഡുകളിൽ ഭൂരിഭാഗവും ZnO-യിൽ ഖരരൂപത്തിൽ ലയിച്ചിട്ടില്ല, മറിച്ച് ധാന്യത്തിൻ്റെ അതിർത്തിയിൽ വ്യതിചലിച്ച് ഒരു തടസ്സ പാളി ഉണ്ടാക്കുന്നു, അങ്ങനെ ZnO varistor സെറാമിക് മെറ്റീരിയലുകൾ ലഭിക്കും, കൂടാതെ varistor സെറാമിക്സിലെ മികച്ച പ്രകടനമുള്ള ഒരു തരം മെറ്റീരിയലാണിത്.

SiC ഡോപ്പിംഗ് (ഹ്യൂമൻ കാർബൺ ബ്ലാക്ക്, ഗ്രാഫൈറ്റ് പൗഡർ പോലുള്ളവ) തയ്യാറാക്കാംഅർദ്ധചാലക വസ്തുക്കൾഉയർന്ന താപനില സ്ഥിരതയോടെ, വിവിധ പ്രതിരോധ ചൂടാക്കൽ ഘടകങ്ങളായി ഉപയോഗിക്കുന്നു, അതായത് ഉയർന്ന താപനിലയുള്ള ഇലക്ട്രിക് ചൂളകളിലെ സിലിക്കൺ കാർബൺ വടികൾ.ആഗ്രഹിക്കുന്നതെന്തും നേടാൻ SiC യുടെ പ്രതിരോധശേഷിയും ക്രോസ് സെക്ഷനും നിയന്ത്രിക്കുക

പ്രവർത്തന സാഹചര്യങ്ങൾ (1500 ° C വരെ), അതിൻ്റെ പ്രതിരോധശേഷി വർദ്ധിപ്പിക്കുകയും ചൂടാക്കൽ മൂലകത്തിൻ്റെ ക്രോസ് സെക്ഷൻ കുറയ്ക്കുകയും ചെയ്യുന്ന താപം വർദ്ധിപ്പിക്കും.വായുവിലെ സിലിക്കൺ കാർബൺ വടി ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതികരണം സംഭവിക്കും, താപനിലയുടെ ഉപയോഗം സാധാരണയായി 1600 ഡിഗ്രി സെൽഷ്യസിനു താഴെയാണ്, സാധാരണ സിലിക്കൺ കാർബൺ വടി

സുരക്ഷിതമായ പ്രവർത്തന താപനില 1350 ° C ആണ്.SiC-യിൽ, ഒരു Si ആറ്റത്തിന് പകരം N ആറ്റം വരുന്നു, എന്തുകൊണ്ടെന്നാൽ N-ന് കൂടുതൽ ഇലക്ട്രോണുകൾ ഉണ്ട്, അധിക ഇലക്ട്രോണുകൾ ഉണ്ട്, അതിൻ്റെ ഊർജ്ജ നില താഴ്ന്ന ചാലക ബാൻഡിന് അടുത്താണ്, അത് ചാലക ബാൻഡിലേക്ക് ഉയർത്താൻ എളുപ്പമാണ്, അതിനാൽ ഈ ഊർജ്ജ നില ദാതാവിൻ്റെ തലം എന്നും വിളിക്കപ്പെടുന്നു, ഈ പകുതി

കണ്ടക്ടറുകൾ എൻ-ടൈപ്പ് അർദ്ധചാലകങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ ഇലക്ട്രോണിക് ചാലക അർദ്ധചാലകങ്ങളാണ്.ഇലക്ട്രോണിൻ്റെ അഭാവം നിമിത്തം, Si ആറ്റത്തിന് പകരമായി SiC-ൽ ഒരു Al ആറ്റം ഉപയോഗിക്കുന്നുവെങ്കിൽ, രൂപംകൊണ്ട മെറ്റീരിയൽ ഊർജ്ജ നില മുകളിലുള്ള വാലൻസ് ഇലക്ട്രോൺ ബാൻഡിനോട് അടുത്താണ്, ഇലക്ട്രോണുകളെ സ്വീകരിക്കാൻ എളുപ്പമാണ്, അതിനാൽ അതിനെ സ്വീകാര്യം എന്ന് വിളിക്കുന്നു.

പോസിറ്റീവ് ചാർജ് കാരിയർ പോലെ തന്നെ പ്രവർത്തിക്കുന്നതിനാൽ ഇലക്ട്രോണുകളെ നയിക്കുന്ന വാലൻസ് ബാൻഡിൽ ഒഴിഞ്ഞ സ്ഥാനം ഉപേക്ഷിക്കുന്ന പ്രധാന ഊർജ്ജ നിലയെ പി-ടൈപ്പ് അർദ്ധചാലകം അല്ലെങ്കിൽ ഹോൾ അർദ്ധചാലകം (H. Sarman,1989) എന്ന് വിളിക്കുന്നു.