വിവരണം
ഞങ്ങളുടെ കമ്പനി ഗ്രാഫൈറ്റ്, സെറാമിക്സ്, മറ്റ് വസ്തുക്കൾ എന്നിവയുടെ ഉപരിതലത്തിൽ സിവിഡി രീതി ഉപയോഗിച്ച് SiC കോട്ടിംഗ് പ്രോസസ്സ് സേവനങ്ങൾ നൽകുന്നു, അതിനാൽ കാർബണും സിലിക്കണും അടങ്ങിയ പ്രത്യേക വാതകങ്ങൾ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ പ്രതിപ്രവർത്തിച്ച് ഉയർന്ന പരിശുദ്ധി SiC തന്മാത്രകൾ, പൂശിയ വസ്തുക്കളുടെ ഉപരിതലത്തിൽ നിക്ഷേപിച്ച തന്മാത്രകൾ, SIC സംരക്ഷണ പാളി രൂപീകരിക്കുന്നു.
പ്രധാന സവിശേഷതകൾ
1. ഉയർന്ന താപനില ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം: താപനില 1600 C വരെ ഉയരുമ്പോൾ ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം ഇപ്പോഴും വളരെ നല്ലതാണ്.
2. ഉയർന്ന പരിശുദ്ധി : ഉയർന്ന താപനിലയിൽ ക്ലോറിനേഷൻ അവസ്ഥയിൽ രാസ നീരാവി നിക്ഷേപം വഴി നിർമ്മിക്കുന്നത്.
3. മണ്ണൊലിപ്പ് പ്രതിരോധം: ഉയർന്ന കാഠിന്യം, ഒതുക്കമുള്ള ഉപരിതലം, സൂക്ഷ്മ കണങ്ങൾ.
4. നാശ പ്രതിരോധം: ആസിഡ്, ആൽക്കലി, ഉപ്പ്, ഓർഗാനിക് റിയാഗൻ്റുകൾ.
CVD-SIC കോട്ടിംഗിൻ്റെ പ്രധാന സവിശേഷതകൾ
| SiC-CVD പ്രോപ്പർട്ടികൾ | ||
| ക്രിസ്റ്റൽ ഘടന | FCC β ഘട്ടം | |
| സാന്ദ്രത | g/cm ³ | 3.21 |
| കാഠിന്യം | വിക്കേഴ്സ് കാഠിന്യം | 2500 |
| ധാന്യത്തിൻ്റെ വലിപ്പം | μm | 2~10 |
| കെമിക്കൽ പ്യൂരിറ്റി | % | 99.99995 |
| ചൂട് ശേഷി | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| സബ്ലിമേഷൻ താപനില | ℃ | 2700 |
| Felexural ശക്തി | MPa (RT 4-പോയിൻ്റ്) | 415 |
| യങ്ങിൻ്റെ മോഡുലസ് | Gpa (4pt ബെൻഡ്, 1300℃) | 430 |
| തെർമൽ എക്സ്പാൻഷൻ (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| താപ ചാലകത | (W/mK) | 300 |
-
ഗ്രാഫൈറ്റ് ഹീറ്റർ ഹോട്ട് സോൺ/ഗ്രാഫൈറ്റ് ഹോട്ട് ഫീൽഡ്, ഏകദേശം...
-
ഐസിപി എച്ചിംഗ് പ്രക്രിയകൾക്കായുള്ള SiC പിൻ ട്രേകൾ ...
-
SiC എപിറ്റാക്സിയൽ ഉപകരണങ്ങളുടെ പകുതി ഭാഗങ്ങൾ
-
കാർബൈഡ് പൂശിയ റിയാക്ടർ ബാരൽ റിയാക്ടർ
-
എപിറ്റാക്സിയൽ വളർച്ചയ്ക്കായി SiC പൂശിയ ഗ്രാഫൈറ്റ് ബാരൽ
-
ഇതിനായുള്ള SiC-കോട്ടഡ് അർദ്ധചാലക എപിറ്റാക്സിയൽ റിയാക്ടർ ...