സിലിക്കൺ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള GaN എപ്പിറ്റാക്സി

ഉൽപ്പന്ന വിവരണം

ഞങ്ങളുടെ കമ്പനി നൽകുന്നുSiC കോട്ടിംഗ്ഗ്രാഫൈറ്റ്, സെറാമിക്സ്, മറ്റ് വസ്തുക്കൾ എന്നിവയുടെ ഉപരിതലത്തിൽ CVD രീതി ഉപയോഗിച്ച് സേവനങ്ങൾ പ്രോസസ്സ് ചെയ്യുന്നു, അങ്ങനെ കാർബണും സിലിക്കണും അടങ്ങിയ പ്രത്യേക വാതകങ്ങൾ ഉയർന്ന താപനിലയിൽ പ്രതിപ്രവർത്തിച്ച് ഉയർന്ന ശുദ്ധമായ SiC തന്മാത്രകൾ, പൂശിയ വസ്തുക്കളുടെ ഉപരിതലത്തിൽ നിക്ഷേപിച്ച തന്മാത്രകൾ എന്നിവ നേടുന്നു.SIC സംരക്ഷണ പാളി.

പ്രധാന സവിശേഷതകൾ:

1. ഉയർന്ന താപനില ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം:

താപനില 1600 C വരെ ഉയരുമ്പോൾ ഓക്സിഡേഷൻ പ്രതിരോധം ഇപ്പോഴും വളരെ നല്ലതാണ്.

2. ഉയർന്ന പരിശുദ്ധി : ഉയർന്ന താപനിലയിൽ ക്ലോറിനേഷൻ അവസ്ഥയിൽ രാസ നീരാവി നിക്ഷേപം വഴി നിർമ്മിക്കുന്നത്.

3. മണ്ണൊലിപ്പ് പ്രതിരോധം: ഉയർന്ന കാഠിന്യം, ഒതുക്കമുള്ള ഉപരിതലം, സൂക്ഷ്മ കണങ്ങൾ.

4. നാശ പ്രതിരോധം: ആസിഡ്, ആൽക്കലി, ഉപ്പ്, ഓർഗാനിക് റിയാഗൻ്റുകൾ.